Puolijohde Datalehdet

PDTD123TT DATALEHDET,PIIRI,TOIMINNON

PDTD123TT Datasheet PDF

ValmistajaPakkausKuvausPDFLämpötila
NXP SemiconductorsNPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k-ohm, R2 = open Min°C | Max°C


© 2025 - Puolijohde Datalehdet SiteMap
Español 中文 Português Русский 日本語 Deutsch العربية Français 한국어 Italiano Norsk Svenska Български Polski Dansk Suomi Nederlands Česky Hrvatski Română Ελληνική हिन्दी Philippine latviešu lietuvių српски Slovenski slovenskom українська עברית Indonesia Việt Nam